Ezzel egy időben a NAND Flash piacon is ütik a vasat, ahogy tudják, hiszen a YMTC döbbenetes tempóban fejlődik és terjeszkedik.

A Samsung megmutatta frissített memóriapiaci útitervét, ami számos érdekes mérföldkövet tartalmaz, amelyek nagy lendületet adhatnak mind a gyártónak, mind pedig az ügyfelek termékeinek. A SEMICON Taiwan 2026 alkalmával felvázolt terv alapján úgy tűnik, AI gyorsítók terén a HBM5 és a zHBM segítségével próbálnak lépést tartani riválisaikkal, míg NAND Flash fronton a zNAND-O hozhat nagyobb sikereket, közben pedig a konvencionális DRAM és NAND Flash lapkák fejlesztésére is nagy hangsúlyt fektetnek.

A HBM4E utódjaként érkező HBM5 jelentős gyorsulást hozhat, ugyanis a Samsung szerint teljesítményt dupláz, miközben 20%-kal magasabb teljesítmény jut majd minden egyes elfogyasztott wattra, a hőellenállás mértékét pedig 20%-kal csökkenteni fogják a HBM4E-nél tapasztalt szinthez képest. Nagyon fontos előrelépés, hogy míg a HBM4E és a HBM4 esetében az alap lapka 4 n-m-es csíkszélességgel készült, addig a HBM5-nél már a vállalat saját fejlesztésű 2 nm-es node-ja gondoskodik a lapka gyártásáról.

A tervek szerint egy-egy memóriachip-szendvics akár 12, 16 vagy 20 lapkarétegből is állhat, az első chipek sorozatgyártásának megindítását várhatóan 2028-ratervezik. Közben a HBM4E fejlesztése is gőzerővel zajlik, a vállalat éppen a 16 Gbps-os tempót kínáló példányok szállítására készül, amelyek nagy előrelépést hoznak a HBM4-nél bevetett 11,7 Gbps-os szinthez képest – mindkét adat az érintkezőnkénti sávszélességet jelöli.

A HBM5 mellett egy egyedi fejlesztésű megoldás, a zHBM is készül a vállalat műhelyében, ami viszont szakít a HBM koncepciójával, azaz a memóriachip-szendvicsek nem az AI gyorsító lapkájának közvetlen szomszédságában helyezkednek majd el, hanem a gyorsító tetején. Ez a módszer segít az adatutat rövidítésében, ami a késleltetésre is jótékonyan hat, valamit a hatékonyságot és a teljesítményt is fokozza. A zHBM a tervek szerint akár nyolcszorosan múlhatja felül a HBM4E chipeket nyers teljesítmény terén, miközben háromszor jobb teljesítmény/watt hányadossal rendelkezik, a hőellenállást pedig 75-90% közötti mértékben tudja csökkenteni.

Erről a fejlesztésről korábban már említést tettek, akkoriban arról volt szó, hogy ezt a speciális memória-architektúrát valamikor 2029 környékén dobhatják piacra. A HBM architektúrát egyébként nemcsak a Samsung próbálja újra-értelmezni és hatékonyabb köntösben tálalni az ügyfelek számára, hanem az Nvidia is: utóbbi az NVHBM keretén belül az AI gyorsító számítást végző lapkáiról a HBM memóriachip-szendvics alap lapkájára száműzi a memóriavezérlőket, ezzel több területen is jókora előnyt biztosítva a rendszer számára.

A Samsung csapata persze NAND Flash fronton is tevékenykedik, oda a zNAND-O nevű fejlesztést hozzák el, ami a DRAM lapkákhoz képest tízszeres előrelépést hoz adatsűrűség terén, miközben hétszer magasabb olvasási sávszélességet kínál a NAND Flash memóriachipekhez képest, de közben az utóbbiakra jellemző energiahatékonysági szintet is tartani tudja. Ez a fejlesztés valamikor 2028 folyamán ölthet testet konkrét mintapéldányok formájában, majd csak azt követően kerülhet konkrét termékek fedélzetére.

A vállalat vezetése az új termékek mellett a C.U.B.E keretrendszer formájában megvalósuló filozófiájába is betekintést engedett. A cél az, hogy a kapacitást, a kihasználtságot, a sávszélességet és a hatékonyságot egyaránt prioritásként kezeljék az egyes termékek fejlesztésénél és gyártásánál. Az új stratégia keretén belül a memóriakapacitás növelését nem nagyobb nyomtatott áramköri terület lefoglalásával, hanem vertikális terjeszkedéssel próbálják megvalósítani, ehhez optimalizált 3D architektúrát használnak, ami egyben a késleltetést is csökkenteni tudja, valamint a horizontális adatsávokat nagysebességű vertikális adatcsatornákra cserélik, miközben már a bitek szintjén is odafigyelnek az energiahatékonyságra és a hőmenedzsmentre.

A Samsung új termékei az elkövetkező évek folyamán válnak elérhetővé a piacon, miközben a vállalat próbál hatékonyan versenyezni az SK hynix csapatával, valamint az „új veszélyként” felbukkant kínai memóriagyártókon is rajta tartják szemeiket, legyen szó a DRAM piacon tevékenykedő CXMT-ről, vagy éppen a NAND Flash piac meghódítására készülő YMTC-ről.